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SMT Silicon Phototransistor
OP522
1
RECOMMENDED SOLDER PADS
[4.60±0.10]
.181±.0039
2
[1.50±0.10]
.059±.0039
[1.60±0.10]
.063±.0039
PIN
FUNCTION
[1.60±0.10]
.063±.0039
1
2
Collector
Emitter
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Issue A 12/2010
Page 4 of 4
OPTEK Technology Inc.— 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (800) 341-4747 FAX: (972) 323– 2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
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OP560C PHOTODARLINGTON NPN 935NM SIDELK
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OP573 PHOTOTRANSISTOR NPN SND REV GULL
相关代理商/技术参数
OP522 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:Transistor
OP524,005 功能描述:MOSFET OP524/UNCASED/FOIL// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
OP525 功能描述:光电晶体管 Phototransistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
OP525DA 功能描述:光电晶体管 Photo Darlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
OP525F 功能描述:光电晶体管 Phototransistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
OP526,005 功能描述:MOSFET OP526/UNCASED/FOIL// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
OP528,005 功能描述:MOSFET OP528/UNCASED/FOIL// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
OP529,005 功能描述:MOSFET OP529/UNCASED/FOIL// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube